d塑性应变为2.0%和14%时UFGTi-0.3O的IPF图,套煎以及KAM图.©2022Theauthors图5CG和UFGTi-0.3O的GB化学分析。a77K拉伸断裂(εf~1.5%)后,煎饼街CGTi-0.3O合金中出现排列良好的(10-10)柱面位错滑移。可观察到大量c+a位错(c-i和c-iii),果攻陷并与a位错以波状构型(c-ii和c-iv)相互作用。
纽约(2)发现细化晶粒可以稀释晶界处O含量并提高c+a位错活性。在Ti-0.3wt中,套煎超细晶粒(UFG)微观结构(晶粒尺寸~2.0μm)的均匀伸长与77K时极脆的粗晶粒相比,套煎成功地提高了一个数量级,并保持了UFG微观结构固有的超高屈服强度。
这种策略不仅促进高强度Ti-O合金在低温下的潜在应用,煎饼街而且还可以应用于其他合金体系。
当合金中的O含量达到3%时,果攻陷合金在77K表现出极差的塑性,阻碍了钛合金在液体火箭发动机以及液氮/氦容器中的应用。纽约(f)表面限制和扩散控制对10mVs-1下γ相Ni-Cooxyhydroxides电荷存储的贡献。
套煎(a)材料表面与水分子的电荷密度差分。煎饼街(i)Ni-Cooxyhydroxides和AC支撑在泡沫镍上弯曲成拱形。
果攻陷图2.γ相Ni-Cooxyhydroxides的形貌和组分表征。纽约图3.电化学重构前后的电子和晶体结构表征。